La nueva tecnología de disipación de calor de semiconductores mejora la disipación de calor en un 25%
Según los informes, ingenieros surcoreanos han descubierto un nuevo modo de transferencia de calor utilizando polaritones de plasmón superficial (SPP), lo que supone un avance significativo en la gestión térmica de semiconductores. Este nuevo método aumenta la disipación de calor en un 25%, lo cual es crucial para resolver el problema de sobrecalentamiento de los pequeños dispositivos semiconductores.
La necesidad de reducir el tamaño de los semiconductores, junto con el problema de que el calor generado en los puntos de acceso de los dispositivos no se dispersa de manera efectiva, ha tenido un impacto negativo en la confiabilidad y durabilidad de los dispositivos modernos. La tecnología de gestión térmica existente aún no es competente para esta tarea. Por lo tanto, descubrir un nuevo método para utilizar ondas superficiales generadas por películas metálicas sobre sustratos para disipar el calor es realmente un avance importante.
SPP se refiere a la onda superficial formada por la fuerte interacción entre el campo electromagnético en la interfaz entre el dieléctrico y el metal, así como electrones libres y partículas vibratorias colectivas similares en la superficie del metal. En concreto, el equipo de investigación utilizó SPP (ondas superficiales generadas en la interfaz dieléctrica del metal) para mejorar la difusión térmica de películas metálicas a nanoescala. Debido a que este nuevo modo de transferencia de calor ocurre cuando se depositan películas delgadas de metal sobre el sustrato, es muy útil en el proceso de fabricación de dispositivos y tiene la ventaja de poder fabricarse a gran escala.
Este resultado tiene implicaciones importantes para el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento en el futuro, ya que puede aplicarse a la rápida disipación de calor en películas delgadas a nanoescala. En particular, se espera que el nuevo modo de transferencia de calor descubierto por el equipo de investigación resuelva el problema básico de la gestión térmica en dispositivos semiconductores, ya que puede lograr una transferencia de calor más efectiva en espesores de nanoescala, y la conductividad térmica de las películas delgadas generalmente se reduce debido a efectos de dispersión de límites.
